多孔硅是一种新型纳米结构材料,在光子器件、光电子器件、传感器、载体介质等领域具有应用潜力,引起人们极大关注.多孔硅的表面形态和孔隙率是影响多孔硅理化性质的主要因素,而电化学阳极氧化条件则是影响多孔硅形态和孔隙率的关键.对此,本文拟研究阳极氧化时间对多孔硅的形态和孔隙率影响规律,为进一步制备高质量多孔硅提供技术支持.