使用硅溶胶、pH 值调节剂、表面活性剂和氧化剂等组分配制抛光液，通过超声波发生器雾化后，在负压下导入抛光区域界面进行CMP 实验，并在相同的抛光参数下，与SSP-L 抛光液常规抛光进行了比较。结果表明: 当磨粒质量分数为20%、pH 值为11、表面活性剂和氧化剂的质量分数分别为0. 5% 和2% 时，材料去除率MRR 达到490 nm/min，表面粗糙度Ra 为2. 72 nm。配制的抛光液的雾化抛光效果和SSP-L 抛光液常规抛光效果接近，而雾化抛光液用量接近常规抛光液的1 /10。分析原因是雾化液均匀的化学组分以及在界面化学反应中的高活性、强吸附性，有利于材料去除和形成超精细的表面。