用射频磁控溅射法在快速热处理过的Pt／Ti/SiO2/Si（100）基体上制备了 Ba0.7sr0.3TiO3薄膜。通过引入溅射因子α，在相同工艺条件（高温大功率溅射）下，对靶材成分进行调整，使薄膜成分无化学计量比偏离。薄膜成 相较未调整前有显著改善，低角区的衍射杂峰消失。{100}方向有择优生长，同体材料及sol-gel法制备的BST薄膜有明显不同，研究认为是成分调整 后，薄膜成分无偏离所致。