以去离子水(H2O)和二乙基锌(DEZn)为源材料,生长温度是680 ℃时,利用常压MOCVD在GaN /
Al2O3 模板上成功生长了ZnO单晶薄膜,用原子力显微镜(AFM) 、X射线双晶衍射(DCXRD) 、光致发光谱
( PL)对ZnO薄膜的表面形貌、结晶学性质、光学性质作了综合研究。双晶衍射表明, ZnO非对称(101 -
2)面ω扫描的半峰全宽( FWHM)仅为420 arcsec,估算所生长ZnO膜的位错密度大约为108 / cm2 量级,这与具有器件
质量的GaN材料的位错密度相当。在ZnO薄膜的低温15 K光荧光谱中,观察到很强的自由激子和束缚激子
发射以及自由激子与束缚激子的多级声子伴线。